megvesz PD20010TR-E BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
PD20010TR-E
- Cikkszám:
- PD20010TR-E
- Gyártó:
- ST
- Leírás:
- TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF FORM
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 20561 Pieces
- Adatlap:
- PD20010TR-E.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója PD20010TR-E, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét PD20010TR-E e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Feszültség - teszt: | 13.6V |
|---|---|
| Feszültség - névleges: | 40V |
| Tranzisztor típusú: | LDMOS |
| Szállító eszközcsomag: | PowerSO-10RF (Formed Lead) |
| Sorozat: | - |
| Teljesítmény: | 10W |
| Csomagolás: | Original-Reel® |
| Csomagolás / tok: | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) |
| Más nevek: | 497-10096-6 |
| Zaj kép: | - |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 3 (168 Hours) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 11 Weeks |
| Gyártási szám: | PD20010TR-E |
| Nyereség: | 11dB |
| Frekvencia: | 2GHz |
| Bővített leírás: | RF Mosfet LDMOS 13.6V 150mA 2GHz 11dB 10W PowerSO-10RF (Formed Lead) |
| Leírás: | TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF FORM |
| Jelenlegi értékelés: | 5A |
| Jelenlegi - teszt: | 150mA |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az PD20010TR-E-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
PD20010STR-E | STMicroelectronics | TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF STR | Vizsgálat |
 |
BLF7G10LS-250,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT502B | Vizsgálat |
|
PD20015S-E | STMicroelectronics | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF | Vizsgálat |
|
PD20010S-E | STMicroelectronics | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF | Vizsgálat |
 |
STAC3933 | STMicroelectronics | IC TRANS RF HV/VHF/UHF STAC177B | Vizsgálat |
 |
PD20010-E | STMicroelectronics | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF | Vizsgálat |
 |
PD20015C | STMicroelectronics | FET RF 40V 2GHZ M243 | Vizsgálat |
|
BLF7G20LS-200,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B | Vizsgálat |
 |
BLF178XR,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 110V 28DB SOT539A | Vizsgálat |
 |
BLF6G27-45,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT608A | Vizsgálat |
|
PD20015-E | STMicroelectronics | TRANS RF PWR N-CH POWERSO-10RF | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers