NTMD6N03R2G
Cikkszám:
NTMD6N03R2G
Gyártó:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Leírás:
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
14680 Pieces
Adatlap:
NTMD6N03R2G.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója NTMD6N03R2G, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét NTMD6N03R2G e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz NTMD6N03R2G BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Szállító eszközcsomag:8-SOIC
Sorozat:-
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:32 mOhm @ 6A, 10V
Teljesítmény - Max:1.29W
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Más nevek:NTMD6N03R2GOS
NTMD6N03R2GOS-ND
NTMD6N03R2GOSTR
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:23 Weeks
Gyártási szám:NTMD6N03R2G
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:950pF @ 24V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:30nC @ 10V
FET típus:2 N-Channel (Dual)
FET funkció:Logic Level Gate
Bővített leírás:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 1.29W Surface Mount 8-SOIC
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):30V
Leírás:MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:6A
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások