megvesz NTD3817N-1G BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
NTD3817N-1G
- Cikkszám:
- NTD3817N-1G
- Leírás:
- MOSFET N-CH 16V 7.6A IPAK
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 13656 Pieces
- Adatlap:
- NTD3817N-1G.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója NTD3817N-1G, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét NTD3817N-1G e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | I-Pak |
| Sorozat: | - |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 13.9 mOhm @ 15A, 10V |
| Teljesítményleadás (Max): | 1.2W (Ta), 25.9W (Tc) |
| Csomagolás: | Tube |
| Csomagolás / tok: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Gyártási szám: | NTD3817N-1G |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 702pF @ 12V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 10.5nC @ 4.5V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Bővített leírás: | N-Channel 16V 7.6A (Ta), 34.5A (Tc) 1.2W (Ta), 25.9W (Tc) Through Hole I-Pak |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 16V |
| Leírás: | MOSFET N-CH 16V 7.6A IPAK |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 7.6A (Ta), 34.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az NTD3817N-1G-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
NTD3808NT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 16V 12A DPAK | Vizsgálat |
|
NTD3817NT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 16V 7.6A DPAK | Vizsgálat |
 |
NTD3813N-1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 16V 9.6A IPAK | Vizsgálat |
 |
NTD3813N-35G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 16V 9.6A IPAK | Vizsgálat |
 |
IXTV22N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 22A PLUS220 | Vizsgálat |
|
NTD3817N-35G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 16V 7.6A IPAK | Vizsgálat |
|
NTD3808N-1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 16V 12A IPAK | Vizsgálat |
|
NTD3808N-35G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 16V 12A IPAK | Vizsgálat |
|
NTD3813NT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 16V 9.6A DPAK | Vizsgálat |
 |
IPP052N08N5AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO220-3 | Vizsgálat |
 |
BSB028N06NN3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 22A WDSON-2 | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers