NSBC114TDP6T5G
NSBC114TDP6T5G
Cikkszám:
NSBC114TDP6T5G
Gyártó:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Leírás:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
15087 Pieces
Adatlap:
NSBC114TDP6T5G.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója NSBC114TDP6T5G, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét NSBC114TDP6T5G e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz NSBC114TDP6T5G BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Feszültség - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
Vce telítettség (Max) Ib, Ic:250mV @ 1mA, 10mA
Tranzisztor típusú:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Szállító eszközcsomag:SOT-963
Sorozat:-
Ellenállás - Emitter alap (R2) (Ohm):-
Ellenállás - alap (R1) (Ohm):10k
Teljesítmény - Max:339mW
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:SOT-963
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:2 Weeks
Gyártási szám:NSBC114TDP6T5G
Frekvencia - Átmenet:-
Bővített leírás:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 339mW Surface Mount SOT-963
Leírás:TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963
DC áramerősség (hFE) (Min) @ Ic, Vce:160 @ 5mA, 10V
Aktuális - Collector Cutoff (Max):500nA
Áram - kollektor (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások