MURT10020R
MURT10020R
Cikkszám:
MURT10020R
Gyártó:
GeneSiC Semiconductor
Leírás:
DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
16087 Pieces
Adatlap:
1.MURT10020R.pdf2.MURT10020R.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója MURT10020R, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét MURT10020R e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz MURT10020R BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha:1.3V @ 50A
Feszültség - DC Fordított (Vr) (Max):200V
Szállító eszközcsomag:Three Tower
Sebesség:Fast Recovery = 200mA (Io)
Sorozat:-
Hátralévő helyreállítási idő (trr):75ns
Csomagolás:Bulk
Csomagolás / tok:Three Tower
Más nevek:MURT10020RGN
Működési hőmérséklet - csatlakozás:-40°C ~ 175°C
Szerelési típus:Chassis Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:4 Weeks
Gyártási szám:MURT10020R
Bővített leírás:Diode Array Standard, Reverse Polarity 200V 100A (DC) Chassis Mount Three Tower
Diódatípus:Standard, Reverse Polarity
Dióda konfiguráció:-
Leírás:DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER
Jelenlegi - Fordított Szivárgás @ Vr:25µA @ 50V
Aktuális - Átlagosan korrigált (Io) (diódánként):100A (DC)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások