MSRT200160(A)
MSRT200160(A)
Cikkszám:
MSRT200160(A)
Gyártó:
GeneSiC Semiconductor
Leírás:
DIODE MODULE 1.6KV 200A 3TOWER
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
16809 Pieces
Adatlap:
1.MSRT200160(A).pdf2.MSRT200160(A).pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója MSRT200160(A), rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét MSRT200160(A) e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz MSRT200160(A) BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha:1.2V @ 200A
Feszültség - DC Fordított (Vr) (Max):1600V (1.6kV)
Szállító eszközcsomag:Three Tower
Sebesség:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Sorozat:-
Csomagolás:Bulk
Csomagolás / tok:Three Tower
Más nevek:MSRT200160(A)GN
MSRT200160A
Szerelési típus:Chassis Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:10 Weeks
Gyártási szám:MSRT200160(A)
Bővített leírás:Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 1600V (1.6kV) 200A (DC) Chassis Mount Three Tower
Diódatípus:Standard
Dióda konfiguráció:1 Pair Common Cathode
Leírás:DIODE MODULE 1.6KV 200A 3TOWER
Jelenlegi - Fordított Szivárgás @ Vr:10µA @ 600V
Aktuális - Átlagosan korrigált (Io) (diódánként):200A (DC)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások