JANTXV1N6631US
Cikkszám:
JANTXV1N6631US
Gyártó:
Microsemi
Leírás:
DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólom / RoHS nem megfelelő
elérhető mennyiség:
14132 Pieces
Adatlap:
JANTXV1N6631US.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója JANTXV1N6631US, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét JANTXV1N6631US e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz JANTXV1N6631US BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha:1.6V @ 1.4A
Feszültség - DC Fordított (Vr) (Max):1100V (1.1kV)
Szállító eszközcsomag:D-5B
Sebesség:Fast Recovery = 200mA (Io)
Sorozat:Military, MIL-PRF-19500/590
Hátralévő helyreállítási idő (trr):60ns
Csomagolás:Bulk
Csomagolás / tok:SQ-MELF, B
Más nevek:1086-20003
1086-20003-MIL
Működési hőmérséklet - csatlakozás:-65°C ~ 150°C
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
Gyártási szám:JANTXV1N6631US
Bővített leírás:Diode Standard 1100V (1.1kV) 1.4A Surface Mount D-5B
Diódatípus:Standard
Leírás:DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B
Jelenlegi - Fordított Szivárgás @ Vr:4µA @ 1100V
Aktuális - Átlagosan korrigált (Io):1.4A
Capacitance @ Vr, F:40pF @ 10V, 1MHz
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások