JANS1N5809
JANS1N5809
Cikkszám:
JANS1N5809
Gyártó:
Microsemi
Leírás:
DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólom / RoHS nem megfelelő
elérhető mennyiség:
15394 Pieces
Adatlap:
JANS1N5809.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója JANS1N5809, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét JANS1N5809 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz JANS1N5809 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha:875mV @ 4A
Feszültség - DC Fordított (Vr) (Max):100V
Sebesség:Fast Recovery = 200mA (Io)
Sorozat:Military, MIL-PRF-19500/477
Hátralévő helyreállítási idő (trr):30ns
Csomagolás:Bulk
Csomagolás / tok:B, Axial
Más nevek:1086-15145
1086-15145-MIL
Működési hőmérséklet - csatlakozás:-65°C ~ 175°C
Szerelési típus:Through Hole
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:40 Weeks
Gyártási szám:JANS1N5809
Bővített leírás:Diode Standard 100V 3A Through Hole
Diódatípus:Standard
Leírás:DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL
Jelenlegi - Fordított Szivárgás @ Vr:5µA @ 100V
Aktuális - Átlagosan korrigált (Io):3A
Capacitance @ Vr, F:60pF @ 10V, 1MHz
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások