IXTH3N100P
IXTH3N100P
Cikkszám:
IXTH3N100P
Gyártó:
IXYS Corporation
Leírás:
MOSFET N-CH 1000V 3A TO-247
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
13203 Pieces
Adatlap:
IXTH3N100P.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója IXTH3N100P, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét IXTH3N100P e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz IXTH3N100P BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 250µA
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:TO-247 (IXTH)
Sorozat:PolarVHV™
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:4.8 Ohm @ 1.5A, 10V
Teljesítményleadás (Max):125W (Tc)
Csomagolás:Tube
Csomagolás / tok:TO-247-3
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Through Hole
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:8 Weeks
Gyártási szám:IXTH3N100P
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:1100pF @ 25V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:39nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 1000V (1kV) 3A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):1000V (1kV)
Leírás:MOSFET N-CH 1000V 3A TO-247
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:3A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások