megvesz IXTA3N120 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
IXTA3N120
- Cikkszám:
- IXTA3N120
- Gyártó:
- IXYS Corporation
- Leírás:
- MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO-263
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 14884 Pieces
- Adatlap:
- IXTA3N120.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója IXTA3N120, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét IXTA3N120 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | TO-263 (IXTA) |
| Sorozat: | - |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 4.5 Ohm @ 1.5A, 10V |
| Teljesítményleadás (Max): | 200W (Tc) |
| Csomagolás: | Tube |
| Csomagolás / tok: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Más nevek: | Q2023873 |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 4 Weeks |
| Gyártási szám: | IXTA3N120 |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 1350pF @ 25V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 42nC @ 10V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Bővített leírás: | N-Channel 1200V (1.2kV) 3A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA) |
| Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva): | 10V |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| Leírás: | MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO-263 |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az IXTA3N120-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTA3N110 | IXYS | MOSFET N-CH 1100V 3A TO-263 | Vizsgálat |
|
IXTA32N20T | IXYS | MOSFET N-CH 200V 32A TO-263 | Vizsgálat |
|
IXTA38N15T | IXYS | MOSFET N-CH 150V 38A TO-263 | Vizsgálat |
|
IXTA32P20T | IXYS | MOSFET P-CH 200V 32A TO-263 | Vizsgálat |
|
IXTA3N100D2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 3A D2PAK | Vizsgálat |
|
IXTA3N120TRL | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263 | Vizsgálat |
|
IXTA36P15P | IXYS | MOSFET P-CH 150V 36A TO-263 | Vizsgálat |
|
IXTA3N150HV | IXYS | MOSFET N-CH 1500V 3A TO-263 | Vizsgálat |
 |
IXTA340N04T4-7 | IXYS | MOSFET N-CH 40V 340A | Vizsgálat |
|
IXTA32P05T | IXYS | MOSFET P-CH 50V 32A TO-263 | Vizsgálat |
|
IXTA3N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 3A TO-263 | Vizsgálat |
 |
IXTA3N120HV | IXYS | MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO263 | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers