IXGQ20N120BD1
IXGQ20N120BD1
Cikkszám:
IXGQ20N120BD1
Gyártó:
IXYS Corporation
Leírás:
IGBT 1200V 40A 190W TO3P
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
12927 Pieces
Adatlap:
IXGQ20N120BD1.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója IXGQ20N120BD1, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét IXGQ20N120BD1 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz IXGQ20N120BD1 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Feszültség - Collector Emitter Breakdown (Max):1200V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic:3.4V @ 15V, 20A
Teszt állapot:960V, 20A, 10 Ohm, 15V
Td (be / ki) @ 25 ° C:20ns/270ns
Energiaváltás:2.1mJ (off)
Szállító eszközcsomag:TO-3P
Sorozat:-
Hátralévő helyreállítási idő (trr):40ns
Teljesítmény - Max:190W
Csomagolás:Tube
Csomagolás / tok:TO-3P-3, SC-65-3
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Through Hole
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
Gyártási szám:IXGQ20N120BD1
Bemeneti típus:Standard
IGBT típus:-
Gate Charge:62nC
Bővített leírás:IGBT 1200V 40A 190W Through Hole TO-3P
Leírás:IGBT 1200V 40A 190W TO3P
Jelenlegi - kollektoros impulzusos (Icm):100A
Áram - kollektor (Ic) (Max):40A
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások