IXFR21N100Q
IXFR21N100Q
Cikkszám:
IXFR21N100Q
Gyártó:
IXYS Corporation
Leírás:
MOSFET N-CH 1KV 18A ISOPLUS247
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
15974 Pieces
Adatlap:
IXFR21N100Q.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója IXFR21N100Q, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét IXFR21N100Q e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz IXFR21N100Q BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 4mA
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:ISOPLUS247™
Sorozat:HiPerFET™
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:500 mOhm @ 10.5A, 10V
Teljesítményleadás (Max):350W (Tc)
Csomagolás:Tube
Csomagolás / tok:ISOPLUS247™
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Through Hole
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
Gyártási szám:IXFR21N100Q
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:5900pF @ 25V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:170nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 1000V (1kV) 18A (Tc) 350W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):1000V (1kV)
Leírás:MOSFET N-CH 1KV 18A ISOPLUS247
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:18A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások