IRF6629TR1PBF
IRF6629TR1PBF
Cikkszám:
IRF6629TR1PBF
Gyártó:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Leírás:
MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
19718 Pieces
Adatlap:
IRF6629TR1PBF.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója IRF6629TR1PBF, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét IRF6629TR1PBF e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz IRF6629TR1PBF BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:2.35V @ 100µA
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:DIRECTFET™ MX
Sorozat:HEXFET®
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:2.1 mOhm @ 29A, 10V
Teljesítményleadás (Max):2.8W (Ta), 100W (Tc)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:DirectFET™ Isometric MX
Más nevek:IRF6629TR1PBFTR
SP001524000
Üzemi hőmérséklet:-40°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
Gyártási szám:IRF6629TR1PBF
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:4260pF @ 13V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:51nC @ 4.5V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 25V 29A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):25V
Leírás:MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:29A (Ta), 180A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások