IPD80R2K8CEATMA1
IPD80R2K8CEATMA1
Cikkszám:
IPD80R2K8CEATMA1
Gyártó:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Leírás:
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
16961 Pieces
Adatlap:
IPD80R2K8CEATMA1.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója IPD80R2K8CEATMA1, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét IPD80R2K8CEATMA1 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz IPD80R2K8CEATMA1 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:3.9V @ 120µA
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:PG-TO252-3
Sorozat:CoolMOS™ CE
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:2.8 Ohm @ 1.1A, 10V
Teljesítményleadás (Max):42W (Tc)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Más nevek:SP001130970
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:6 Weeks
Gyártási szám:IPD80R2K8CEATMA1
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:290pF @ 100V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:12nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 800V 1.9A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):800V
Leírás:MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:1.9A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások