IPD30N06S223ATMA1
IPD30N06S223ATMA1
Cikkszám:
IPD30N06S223ATMA1
Gyártó:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Leírás:
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
19790 Pieces
Adatlap:
IPD30N06S223ATMA1.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója IPD30N06S223ATMA1, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét IPD30N06S223ATMA1 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz IPD30N06S223ATMA1 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 50µA
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:PG-TO252-3
Sorozat:OptiMOS™
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:23 mOhm @ 21A, 10V
Teljesítményleadás (Max):100W (Tc)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Más nevek:IPD30N06S2-23
IPD30N06S2-23-ND
SP000252166
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 175°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
Gyártási szám:IPD30N06S223ATMA1
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:901pF @ 25V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:32nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 55V 30A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):55V
Leírás:MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:30A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások