IPB65R280C6ATMA1
IPB65R280C6ATMA1
Cikkszám:
IPB65R280C6ATMA1
Gyártó:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Leírás:
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO263
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
14535 Pieces
Adatlap:
IPB65R280C6ATMA1.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója IPB65R280C6ATMA1, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét IPB65R280C6ATMA1 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz IPB65R280C6ATMA1 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:3.5V @ 440µA
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:PG-TO263
Sorozat:CoolMOS™
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:280 mOhm @ 4.4A, 10V
Teljesítményleadás (Max):104W (Tc)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Más nevek:IPB65R280C6
IPB65R280C6-ND
IPB65R280C6TR-ND
SP000745030
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:12 Weeks
Gyártási szám:IPB65R280C6ATMA1
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:950pF @ 100V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:45nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 650V 13.8A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PG-TO263
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):650V
Leírás:MOSFET N-CH 650V 13.8A TO263
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:13.8A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások