IPB054N06N3 G
IPB054N06N3 G
Cikkszám:
IPB054N06N3 G
Gyártó:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Leírás:
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
15872 Pieces
Adatlap:
IPB054N06N3 G.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója IPB054N06N3 G, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét IPB054N06N3 G e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz IPB054N06N3 G BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 58µA
Vgs (Max):±20V
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:PG-TO263-2
Sorozat:OptiMOS™
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:5.4 mOhm @ 80A, 10V
Teljesítményleadás (Max):115W (Tc)
Csomagolás:Original-Reel®
Csomagolás / tok:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Más nevek:IPB054N06N3 GDKR
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 175°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:12 Weeks
Gyártási szám:IPB054N06N3 G
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:6600pF @ 30V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:82nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 60V 80A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount PG-TO263-2
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva):10V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):60V
Leírás:MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások