IPB039N04LGATMA1
IPB039N04LGATMA1
Cikkszám:
IPB039N04LGATMA1
Gyártó:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Leírás:
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
19001 Pieces
Adatlap:
IPB039N04LGATMA1.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója IPB039N04LGATMA1, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét IPB039N04LGATMA1 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz IPB039N04LGATMA1 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:2V @ 45µA
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:PG-TO263-2
Sorozat:OptiMOS™
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:3.9 mOhm @ 80A, 10V
Teljesítményleadás (Max):94W (Tc)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Más nevek:IPB039N04L G
IPB039N04L G-ND
IPB039N04L GTR-ND
SP000391495
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 175°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
Gyártási szám:IPB039N04LGATMA1
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:6100pF @ 25V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:78nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 40V 80A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount PG-TO263-2
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):40V
Leírás:MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások