FQD10N20CTM
FQD10N20CTM
Cikkszám:
FQD10N20CTM
Gyártó:
Fairchild/ON Semiconductor
Leírás:
MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
17019 Pieces
Adatlap:
1.FQD10N20CTM.pdf2.FQD10N20CTM.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója FQD10N20CTM, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét FQD10N20CTM e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz FQD10N20CTM BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:D-Pak
Sorozat:QFET®
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:360 mOhm @ 3.9A, 10V
Teljesítményleadás (Max):50W (Tc)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Más nevek:FQD10N20CTM-ND
FQD10N20CTMTR
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:6 Weeks
Gyártási szám:FQD10N20CTM
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:510pF @ 25V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:26nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 200V 7.8A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount D-Pak
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva):10V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):200V
Leírás:MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:7.8A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások