megvesz EPC2106ENGRT BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 600µA |
---|---|
Szállító eszközcsomag: | Die |
Sorozat: | eGaN® |
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 70 mOhm @ 2A, 5V |
Teljesítmény - Max: | - |
Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
Csomagolás / tok: | Die |
Más nevek: | 917-EPC2106ENGRTR |
Üzemi hőmérséklet: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus: | Surface Mount |
Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
Gyártási szám: | EPC2106ENGRT |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 75pF @ 50V |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 0.73nC @ 5V |
FET típus: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET funkció: | GaNFET (Gallium Nitride) |
Bővített leírás: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 100V 1.7A Surface Mount Die |
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 100V |
Leírás: | TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE |
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 1.7A |
Email: | [email protected] |