EMB11T2R
EMB11T2R
Cikkszám:
EMB11T2R
Gyártó:
LAPIS Semiconductor
Leírás:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
19633 Pieces
Adatlap:
EMB11T2R.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója EMB11T2R, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét EMB11T2R e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz EMB11T2R BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Feszültség - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
Vce telítettség (Max) Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA
Tranzisztor típusú:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Szállító eszközcsomag:EMT6
Sorozat:-
Ellenállás - Emitter alap (R2) (Ohm):10k
Ellenállás - alap (R1) (Ohm):10k
Teljesítmény - Max:150mW
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:SOT-563, SOT-666
Más nevek:EMB11T2R-ND
EMB11T2RTR
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:10 Weeks
Gyártási szám:EMB11T2R
Frekvencia - Átmenet:250MHz
Bővített leírás:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Leírás:TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
DC áramerősség (hFE) (Min) @ Ic, Vce:20 @ 5mA, 5V
Aktuális - Collector Cutoff (Max):500nA
Áram - kollektor (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások