megvesz DMTH8012LPSQ-13 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
DMTH8012LPSQ-13
- Cikkszám:
- DMTH8012LPSQ-13
- Gyártó:
- Diodes Incorporated
- Leírás:
- MOSFET NCH 80V 10A POWERDI
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 16653 Pieces
- Adatlap:
- DMTH8012LPSQ-13.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója DMTH8012LPSQ-13, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét DMTH8012LPSQ-13 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | PowerDI5060-8 |
| Sorozat: | Automotive, AEC-Q101 |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 17 mOhm @ 12A, 10V |
| Teljesítményleadás (Max): | 2.6W (Ta), 136W (Tc) |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | 8-PowerTDFN |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 16 Weeks |
| Gyártási szám: | DMTH8012LPSQ-13 |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 2051pF @ 40V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 46.8nC @ 10V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Bővített leírás: | N-Channel 80V 10A (Ta), 72A (Tc) 2.6W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8 |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 80V |
| Leírás: | MOSFET NCH 80V 10A POWERDI |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 10A (Ta), 72A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az DMTH8012LPSQ-13-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
DMTH8012LK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 80V 50A TO252 | Vizsgálat |
 |
DMTH8012LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 80V 50A TO252 | Vizsgálat |
 |
DMTH8012LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 80V 9.5A PWRDI5060-8 | Vizsgálat |
 |
IXTY2N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252 | Vizsgálat |
 |
SQ2315ES-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CHAN 12V SOT23 | Vizsgálat |
 |
TPCC8005-H(TE12LQM | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 26A 8TSON | Vizsgálat |
 |
BUK9506-55B,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB | Vizsgálat |
 |
SUM110N05-06L-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK | Vizsgálat |
 |
BSS84-7-F | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 | Vizsgálat |
 |
RF4E080GNTR | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 8A 8-HUML | Vizsgálat |
|
TK13E25D,S1X(S | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 250V 13A TO-220AB | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers