DMT6007LFG-7
DMT6007LFG-7
Cikkszám:
DMT6007LFG-7
Gyártó:
Diodes Incorporated
Leírás:
MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
15593 Pieces
Adatlap:
DMT6007LFG-7.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója DMT6007LFG-7, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét DMT6007LFG-7 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz DMT6007LFG-7 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:PowerDI3333-8
Sorozat:-
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:6 mOhm @ 20A, 10V
Teljesítményleadás (Max):2.2W (Ta), 62.5W (Tc)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:8-PowerWDFN
Más nevek:DMT6007LFG-7DITR
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:16 Weeks
Gyártási szám:DMT6007LFG-7
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:2090pF @ 30V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:41.3nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 60V 15A (Ta), 80A (Tc) 2.2W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva):4.5V, 10V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):60V
Leírás:MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:15A (Ta), 80A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások