megvesz C4D10120E-TR BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
C4D10120E-TR
- Cikkszám:
- C4D10120E-TR
- Gyártó:
- Cree
- Leírás:
- DIODE SCHOTTKY 1.2KV 33A TO252-2
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 14768 Pieces
- Adatlap:
- C4D10120E-TR.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója C4D10120E-TR, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét C4D10120E-TR e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: | 1.8V @ 10A |
|---|---|
| Feszültség - DC Fordított (Vr) (Max): | 1200V (1.2kV) |
| Szállító eszközcsomag: | TO-252-2 |
| Sebesség: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Sorozat: | Z-Rec® |
| Hátralévő helyreállítási idő (trr): | 0ns |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Működési hőmérséklet - csatlakozás: | -55°C ~ 175°C |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 4 Weeks |
| Gyártási szám: | C4D10120E-TR |
| Bővített leírás: | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 33A Surface Mount TO-252-2 |
| Diódatípus: | Silicon Carbide Schottky |
| Leírás: | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 33A TO252-2 |
| Jelenlegi - Fordított Szivárgás @ Vr: | 250µA @ 1200V |
| Aktuális - Átlagosan korrigált (Io): | 33A |
| Capacitance @ Vr, F: | 754pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az C4D10120E-TR-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
VS-MBRB735TRLPBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 35V 7.5A D2PAK | Vizsgálat |
 |
C4D10120E | Cree/Wolfspeed | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252-2 | Vizsgálat |
 |
C4D10120A | Cree/Wolfspeed | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220-2 | Vizsgálat |
 |
MBR16H35-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY TO-220AC | Vizsgálat |
 |
GP20B-E3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 2A GP20 | Vizsgálat |
 |
SS36-M3/9AT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 3A 60V DO-214AB | Vizsgálat |
 |
BAT43WS-HE3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD323 | Vizsgálat |
 |
CMH04(TE12L,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE GEN PURP 200V 1A MFLAT | Vizsgálat |
 |
C4D10120D | Cree/Wolfspeed | DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247 | Vizsgálat |
 |
SK15-13-F | Diodes Incorporated | DIODE SCHOTTKY 50V 1A SMB | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers