C3M0280090J-TR
C3M0280090J-TR
Cikkszám:
C3M0280090J-TR
Gyártó:
Cree
Leírás:
MOSFET N-CH 900V 11A
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
16983 Pieces
Adatlap:
C3M0280090J-TR.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója C3M0280090J-TR, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét C3M0280090J-TR e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz C3M0280090J-TR BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:3.5V @ 1.2mA
Vgs (Max):+18V, -8V
Technológia:SiCFET (Silicon Carbide)
Szállító eszközcsomag:D2PAK-7
Sorozat:C3M™
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:360 mOhm @ 7.5A, 15V
Teljesítményleadás (Max):50W (Tc)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Más nevek:C3M0280090J-TRTR
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):3 (168 Hours)
A gyártó szabványos leadási ideje:8 Weeks
Gyártási szám:C3M0280090J-TR
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:150pF @ 600V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:9.5nC @ 15V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 900V 11A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva):15V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):900V
Leírás:MOSFET N-CH 900V 11A
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:11A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások