megvesz C3M0065100J BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
C3M0065100J
- Cikkszám:
- C3M0065100J
- Gyártó:
- Cree
- Leírás:
- 1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 13109 Pieces
- Adatlap:
- C3M0065100J.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója C3M0065100J, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét C3M0065100J e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 5mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | +15V, -4V |
| Technológia: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Szállító eszközcsomag: | D2PAK-7 |
| Sorozat: | C3M™ |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 78 mOhm @ 20A, 15V |
| Teljesítményleadás (Max): | 113.5W (Tc) |
| Csomagolás: | Tube |
| Csomagolás / tok: | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Gyártási szám: | C3M0065100J |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 660pF @ 600V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 35nC @ 15V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Bővített leírás: | N-Channel 1000V (1kV) 35A (Tc) 113.5W (Tc) Surface Mount D2PAK-7 |
| Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva): | 15V |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 1000V (1kV) |
| Leírás: | 1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 35A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az C3M0065100J-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
C3M0065100K | Cree/Wolfspeed | 1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET | Vizsgálat |
 |
C3M0065090J-TR | Cree/Wolfspeed | MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7 | Vizsgálat |
 |
FQD17N08LTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 80V 12.9A DPAK | Vizsgálat |
|
C3M0065090J | Cree/Wolfspeed | MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7 | Vizsgálat |
 |
STP35N60DM2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 28A | Vizsgálat |
 |
PMPB40SNA,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 12.9A 6DFN | Vizsgálat |
 |
C3M0065090D | Cree/Wolfspeed | MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3 | Vizsgálat |
 |
C3M0075120K | Cree/Wolfspeed | MOSFET N-CH SICFET 1.2KV TO247-4 | Vizsgálat |
 |
PHT6N06T,135 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223 | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers