megvesz BSS670S2L H6327 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
BSS670S2L H6327
- Cikkszám:
- BSS670S2L H6327
- Leírás:
- MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 15892 Pieces
- Adatlap:
- BSS670S2L H6327.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója BSS670S2L H6327, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét BSS670S2L H6327 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 2.7µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | PG-SOT23-3 |
| Sorozat: | OptiMOS™ |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 650 mOhm @ 270mA, 10V |
| Teljesítményleadás (Max): | 360mW (Ta) |
| Csomagolás: | Original-Reel® |
| Csomagolás / tok: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Más nevek: | BSS670S2L H6327DKR |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 10 Weeks |
| Gyártási szám: | BSS670S2L H6327 |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 75pF @ 25V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 2.26nC @ 10V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Bővített leírás: | N-Channel 55V 540mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23-3 |
| Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva): | 4.5V, 10V |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 55V |
| Leírás: | MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23 |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 540mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az BSS670S2L H6327-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
BSS670S2LL6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23 | Vizsgálat |
|
BSS670S2L | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23 | Vizsgálat |
 |
2SK2544(F) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 6A TO-220AB | Vizsgálat |
|
BSS670S2LH6433XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23 | Vizsgálat |
 |
NVD5C688NLT4G | ON Semiconductor | T6 60V LL DPAK | Vizsgálat |
 |
HUFA76443S3ST | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK | Vizsgálat |
 |
IPB03N03LB G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A TO-263 | Vizsgálat |
 |
TK10V60W,LVQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 9.7A 5DFN | Vizsgálat |
 |
PH6530AL,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V LFPAK | Vizsgálat |
 |
PHW80NQ10T,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 80A SOT429 | Vizsgálat |
 |
SI5432DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8 | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers